近期一汽红旗晓谕，其自主研发的碳化硅功率芯片告捷完成初度流片。

这一芯片是由一汽红旗研发总院新动力成就院功率电子成就部全程主导成就，从谋划到流片，涵盖了从中枢想到界说到材料接纳、疆域谋划和晶圆封装的全链条立异。

碳化硅工夫的中枢上风

碳化硅（SiC）工夫频年来在新动力鸿沟备受讲求，尤其在电初始系统中通晓着弗成替代的作用。

比拟传统的硅基材料，碳化硅具有更高的耐压才气和导热性能，八成权贵提高电力电子器件的着力和可靠性。

这次流片告捷的碳化硅功率芯片，将为红旗的电动化转型提供进军工夫撑执。

红旗在研发经过中接受了立异的芯片结构谋划，举例低导通电阻的元胞结构和高密度疆域谋划，这使得该芯片的性能八成在阻断与导通性能之间赢得最好均衡。

此外，该芯片还具备向上1200V的击穿电压，导通电阻小于15mΩ。这一性能将极大提高电初始系统的着力，使新动力汽车在行驶经过中八成更好地从简电能，延长续航里程。

自主研发的全链条攻关

从界说家具中枢想到到最终的晶圆封测，红旗皆备自主主导了碳化硅功率芯片的成就经过。

研发团队从衬底与外延材料的接纳、元胞结构谋划，到动静态性能的仿真、工艺仿真及疆域谋划，展现了纷乱的工夫整合才气。

红旗相等贵重芯片可靠性的提高，接受了立异性的片上栅极电阻集成工夫。

这一工夫八成在裁汰导通电阻的同期确保末端结构的结识性，从而提高芯片的恒久耐用性和在顶点条款下的职责性能。

此外，芯片在散热谋划上也有所松弛，诳骗了支执银烧结工艺的名义金属层材料，大大提高了芯片的散热截止。

商场诳骗长进广泛

这次流片的碳化硅功率芯片，主要面向整车电初始系统以及颖慧补能、车载电源等鸿沟的需求。

跟着新动力汽车商场的快速延伸，碳化硅芯片将成为鼓动电动化程度的进军力量。

据预计，改日五年车用碳化硅功率模块的年复合增长率将达到38.3%，商场鸿沟将向上44亿好意思元。

红旗的这一工夫松弛，不仅增强了其在国内商场的竞争力，也为其在群众商场上争夺更大份额奠定了基础。

打造国产碳化硅产业生态

红旗的碳化硅芯片研发告捷，还意味着中国在这一高端芯片鸿沟兑现了进军自主松弛。

现在，群众碳化硅芯片商场仍然被国外巨头所独揽，这成为国内新动力汽车企业发展的瓶颈之一。

而红旗通过与中国电子科技集团伙同，慢慢构建起了国产碳化硅芯片的产业链。

这一全链条的自主谋划与制造才气，将大大裁汰国内厂商关于入口芯片的依赖，为中国汽车产业的高质地发展提供强有劲的工夫撑执。

对此，诸位读者有何见地？